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ESSDPart NumberInterfaceForm FactorCapacitySequential ReadSequential WriteRandom ReadRandom WriteDWPDMZILG960HCHQSAS 24.0 Gbps2.5 inch960 GB4200 MB/s1200 MB/s600K IOPS55K IOPS1.0(5yrs)MZPLJ1T6HBJR-...

DATACENTER SSDPart NumberInterfaceForm FactorCapacitySequential ReadSequential WriteRandom ReadRandom WriteDWPDMZ3L630THBLF-00AW7PCIe 5.0 x4E3.S (1T)30.72 TB9000 MB/s6450 MB/s1550K IOPS300K IOPS1.0...

Samsung RDIMM料号DDR应用容量速率工作电压生产状态内存区块组织组件成分针脚数目M321R2GA3EB2-CWMDDR5服务器16 GB5600 Mbps1.1 V量产1R x 8(2G x 8) x 10288M321R4GA0EB2-CWMDDR5服务器32 GB5600 Mbps1.1 V量产1R x 4(4G x 4) x 20288M321R4GA3EB2-CWMDDR...

e-MMC SpecsCapacityPart Numbere-MMC VersionMax Data Rate(MB/s)Supply VoltageVCC (V)Supply VoltageVCCQ (V)Temperature(℃)Package Size(mm)4GBTHGBMNG5D1LBAIT5.0 4002.7 to 3.61.70 to 1.95, 2.7 to 3.6-25...

LPDDR > LPDDR4Part No.DensityVoltage (VDD1 / VDD2 / VDDQ)SpeedPackageStatusTemperatureH54G56BYYVX0464GB1.8V / 1.1V / 1.1V4266Mbps200BallMPAIT(-40~95C)H54G56BYYQX0464GB1.8V / 1.1V / 1.1V4266Mbps200B...

PART NUMBERDENSITYOPERATING TEMPBUS WIDTHPIN COUNTPART STATUS CODECOMPONENT CONFIGDRY PACK QTYDIMENSION (W X L X H) MMTAPE & REEL QTYMT62F512M32D2DS-031 AIT:B16Gb-40C to +95Cx32315-ballContact Sale...

PART NUMBERDENSITYMT/SOPERATING TEMPBUS WIDTHPIN COUNTPART STATUS CODEDRY PACK QTYTAPE & REEL QTYMT53B128M32D1DT-053 AAT:A4Gb3733MTPS-40C to +105Cx32200-ballContact Sales13602000MT53B128M32D1DT-053...

Samsung UFS 2.1  Part Number InterfacePackage SizeCapacityVoltageTemperatureProduct StatusKLUBG4G1ZF-C0CPG3 2Lane11.5 x 13 x 1.2 mm32 GB1.8 / 3.3 V-40 ~ 95 °CMass ProductionKLUBG4G1ZF-C0CQG3 2Lane1...

EMMC 5.1  Part Number InterfacePackage SizeCapacityVoltageTemperatureProduct StatusKLM8G1GEUF-B04PHS40011.5 x 13 x 0.8 mm8 GB1.8 / 3.3 V-40 ~ 95 °CMass ProductionKLM8G1GEUF-B04QHS40011.5 x 13 x 0.8...

LPDDR4  Part Number DensityPackageSpeedVoltageTemperatureOrganizationProduct StatusK4F4E164HF-KFCL4 Gb200 FBGA4266 Mbps1.8 / 1.1 / 1.1 V-40 ~ 95 °Cx16SampleK4F4E164HF-KHCL4 Gb200 FBGA4266 Mbps1.8 /...

LPDDR4X  Part Number DensityPackageSpeedVoltageTemperatureOrganizationProduct StatusK4U8E3S4AF-KFCL8 Gb200 FBGA4266 Mbps1.8 / 1.1 / 0.6 V-40 ~ 95 °Cx32SampleK4U8E3S4AF-KHCL8 Gb200 FBGA4266 Mbps1.8 ...

LPDDR5  Part Number DensityPackageSpeedVoltageTemperatureOrganizationProduct StatusK3LKJKJ0CM-MFCP24 Gb315 FBGA6400 Mbps1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V-40 ~ 95 °Cx32Mass ProductionK3LKJKJ0CM-MHCP24 Gb315 ...

CXMT showcased the DDR5 & LPDDR5X at the 22nd China International Semiconductor Expo (IC China) on November 23, 2025.The DDR5 product lineup features peak speed of 8000 Mbps and die density up to 2...

据韩媒报道，三星电子计划在明年年底前将其1c DRAM的产能提升至每月20万片晶圆。具体而言，三星计划在今年年底（第四季度）达到每月6万片晶圆的产能，并在明年第二季度增加8万片晶圆，明年第四季度再增加6万片晶圆，最终达到每月20万片晶圆的总产能。这一时间安排是基于设备安装的“前期准备”阶段，目标是在每个阶段都建立起能够进行大规模生产的系统。对1c DRAM产能的持续投资将持续到明年年底。三星...

三季度以来，上游相继控制资源供应并放缓出货节奏，甚至部分DRAM资源供应按下暂停键。而转眼间，时间来到今年最后一个季度的后半段，上游供应未见好转的同时市场持续消耗库存，现货市场存储供需矛盾愈演愈烈，更加强化了存储厂商控货惜售心态。资源供应全面收紧持续影响下，存储成品端多数产品延续涨价趋势。然而，存储芯片价格飙涨正对消费市场产生强烈的多米诺骨牌效应。一方面，价格传导机制正向消费终端加速蔓延。相...

随着人工智能由训练向推理的转变，以及AI-Agent得到更为广泛的应用，全球范围内AI数据中心建设加速并相继落地，大型CSP均超预期地加大并持续推进AI相关投资，驱动服务器应用中DRAM和NAND需求保持强劲态势。而Mobile和PC等消费应用领域，因受到产能优先满足于AI服务器需求的影响，对DRAM与NAND供应短缺的担忧日益加剧，其市场价格已经发生上涨。据CFM闪存市场数据显示，2025...

Application : HMI   S3A4004V0M-AI1A

PLC and HMI：S3A4004R0M-AI1A

「无电池时代，数据永不断电！」（直击传统方案痛点，强调 MRAM 非易失性与零维护特性，适合工业控制、智能电网等领域）「毫秒级响应，十年不褪色 ——MRAM，让关键数据永在线！」（突出速度与耐久性，适用于汽车黑匣子、医疗设备等高可靠性需求场景）「断电瞬间，数据定格 ——MRAM，为你的系统装上安全锁！」（强化抗电源故障能力，吸引智能电表、边缘计算等需要实时数据保护的行业）「一颗芯片，双倍效能...